Proizvođač Broj proizvoda:
SI7108DN-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SI7108DN-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
Detaljan opis:
N-Channel 20 V 14A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
8959 kom. Nova originalna na skladištu
12914803
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SI7108DN-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
20 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
14A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
4.9mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±16V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
1.5W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® 1212-8
Paket / slučaj
PowerPAK® 1212-8
Osnovni broj proizvoda
SI7108
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SI7108DN-T1-GE3TR
SI7108DNT1GE3
SI7108DN-T1-GE3DKR
SI7108DN-T1-GE3CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SI1039X-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 870MA SC89-6
IRFR9310TRRPBF
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
SI2316BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
