SI5443DC-T1-GE3
Proizvođač Broj proizvoda:

SI5443DC-T1-GE3

Product Overview

Proizvođač:

Vishay Siliconix

Broj dela:

SI5443DC-T1-GE3-DG

Opis:

MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
Detaljan opis:
P-Channel 20 V 3.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™

Inventar:

12915879
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

SI5443DC-T1-GE3 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
-
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
20 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
3.6A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
65mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
600mV @ 250µA (Min)
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±12V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
1.3W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
1206-8 ChipFET™
Paket / slučaj
8-SMD, Flat Lead
Osnovni broj proizvoda
SI5443

Dodatne informacije

Standardni paket
3,000

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
vishay-siliconix

SI6404DQ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP

vishay-siliconix

SI5499DC-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET

vishay-siliconix

SQD50N10-8M9L_GE3

MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA

vishay-siliconix

SI2367DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3