Početna
Proizvodi
Proizvođači
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogovi i postovi
Zahtev za ponudu/ Ponuda
Serbia
Prijavite se
Izborni jezik
Trenutni jezik po vašem izboru:
Serbia
Uključi/Isključi:
Engleski
Evropa
Ujedinjeno Kraljevstvo
Francuska
Španija
Turska
Moldavija
Litvanija
Norveška
Nemačka
Portugal
Slovačka
OMILjENO
Finska
Ruski
Bugarska
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češki
Grčki
Hrvatska
Izrael
Srbija
Belorusija
Holandija
Švedska
Crna gora
Baskijski
Island
Bosni
Mađarski
Rumunija
Austrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kina
Vijetnamu
Indonezija
Tajland
Laos
Filipinski
Malezija
Koreja
Japan
San-Tome i Prinsipi
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudijska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
San-Tome i Prinsipi
Afrika, Indija i Bliski Istok
Ujedinjeni Arapski Emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipat
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunis
Srbija / Srbija
Novi Zeland
Angoli
Brazil
Mozambiku
Peru
Kolumbija
Čile
Venecuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Australija
Severna Amerika
Sjedinjene Države
Haiti
Kanada
Kosta Rika
Meksiko
O DiGi
O nama
O nama
Naše sertifikacije
DiGi Uvod
Zašto DiGi
Politika
Politika kvaliteta
Uslovi korišćenja
Usaglašenost sa RoHS
Proces povraćaja
Resursi
Kategorije proizvoda
Proizvođači
Blogovi i postovi
Usluge
Garancija kvaliteta
Način Plaćanja
Globalna isporuka
Cene dostave
Često postavljana pitanja
Proizvođač Broj proizvoda:
SI4670DY-T1-E3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SI4670DY-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Detaljan opis:
Mosfet Array 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
RFQ Online
12913497
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
*
Kompanija
*
Ime kontakt osobe
*
Telefon
*
E-pošta
Adresa za isporuku
Poruka
(
*
) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SI4670DY-T1-E3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
-
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
2 N-Channel (Dual)
FET karakteristika
Logic Level Gate
Odvod do izvornog napona (VDS)
25V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
8A
Srs Na (maks) @ id, vgs
23mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
18nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
680pF @ 13V
Snaga - Maks
2.8W
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dobavljač uređaja Paket
8-SOIC
Osnovni broj proizvoda
SI4670
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
SI4670DY-T1-E3
Tehnički listovi
SI4670DY
HTML Tehnička dokumentacija
SI4670DY-T1-E3-DG
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
SI4670DY-T1-E3CT
SI4670DY-T1-E3TR
SI4670DY-T1-E3DKR
SI4670DYT1E3
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
SQ4940AEY-T1_GE3
Proizvođač
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
2846
DiGi BROJ DELOVA
SQ4940AEY-T1_GE3-DG
JEDINIČNA CENA
0.39
TIP ZAMENE
Direct
BROJ DELOVA
FDS6890A
Proizvođač
onsemi
KOLIČINA DOSTUPNA
0
DiGi BROJ DELOVA
FDS6890A-DG
JEDINIČNA CENA
0.52
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SI4913DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8SOIC
SI6954ADQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
SI7964DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO8
SI7872DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO8