Proizvođač Broj proizvoda:
SI4418DY-T1-E3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SI4418DY-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8SO
Detaljan opis:
N-Channel 200 V 2.3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12917208
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SI4418DY-T1-E3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
-
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
200 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
2.3A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
6V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
130mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
1.5W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-SOIC
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovni broj proizvoda
SI4418
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
SI4418DY-T1-E3TR
SI4418DYT1E3
SI4418DY-T1-E3DKR
SI4418DY-T1-E3CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
FDS2670
Proizvođač
onsemi
KOLIČINA DOSTUPNA
2359
DiGi BROJ DELOVA
FDS2670-DG
JEDINIČNA CENA
0.69
TIP ZAMENE
MFR Recommended
BROJ DELOVA
SI4490DY-T1-GE3
Proizvođač
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
1467
DiGi BROJ DELOVA
SI4490DY-T1-GE3-DG
JEDINIČNA CENA
0.84
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SI4396DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
SI1470DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
SI1021R-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
