Proizvođač Broj proizvoda:
SI4116DY-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SI4116DY-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Detaljan opis:
N-Channel 25 V 18A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
1218 kom. Nova originalna na skladištu
12916887
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SI4116DY-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
25 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
18A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
2.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
8.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1.4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±12V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1925 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-SOIC
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovni broj proizvoda
SI4116
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
SI4116DY-T1-GE3TR
SI4116DY-T1-GE3DKR
SI4116DY-T1-GE3CT
SI4116DYT1GE3
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
G050N03S
Proizvođač
Goford Semiconductor
KOLIČINA DOSTUPNA
20000
DiGi BROJ DELOVA
G050N03S-DG
JEDINIČNA CENA
0.16
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SI4102DY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
SIE878DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 45A 10POLARPAK
SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3
