Proizvođač Broj proizvoda:
SI3993DV-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SI3993DV-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6TSOP
Detaljan opis:
Mosfet Array 30V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
12920651
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SI3993DV-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
-
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
2 P-Channel (Dual)
FET karakteristika
Logic Level Gate
Odvod do izvornog napona (VDS)
30V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
1.8A
Srs Na (maks) @ id, vgs
133mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
-
Snaga - Maks
830mW
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dobavljač uređaja Paket
6-TSOP
Osnovni broj proizvoda
SI3993
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
SI3993CDV-T1-GE3
Proizvođač
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
50318
DiGi BROJ DELOVA
SI3993CDV-T1-GE3-DG
JEDINIČNA CENA
0.13
TIP ZAMENE
Direct
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SQJ244EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
SISF20DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12
SIZ700DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
