Proizvođač Broj proizvoda:
SI2399DS-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SI2399DS-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Detaljan opis:
P-Channel 20 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
7732 kom. Nova originalna na skladištu
12917749
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SI2399DS-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
20 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
6A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
2.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
34mOhm @ 5.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±12V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
835 pF @ 10 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.5W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / slučaj
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovni broj proizvoda
SI2399
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SI2399DS-T1-GE3CT
SI2399DS-T1-GE3TR
SI2399DS-T1-GE3-DG
SI2399DS-T1-GE3DKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
NVMYS3D3N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
SIR864DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIS447DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
