SI2307CDS-T1-E3
Proizvođač Broj proizvoda:

SI2307CDS-T1-E3

Product Overview

Proizvođač:

Vishay Siliconix

Broj dela:

SI2307CDS-T1-E3-DG

Opis:

MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Detaljan opis:
P-Channel 30 V 3.5A (Tc) 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventar:

40684 kom. Nova originalna na skladištu
12917812
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

SI2307CDS-T1-E3 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
3.5A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
88mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
340 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / slučaj
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovni broj proizvoda
SI2307

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket
3,000
Ostala imena
SI2307CDS-T1-E3CT
SI2307CDS-T1-E3DKR
SI2307CDS-T1-E3TR
SI2307CDS-T1-E3-DG

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
vishay-semi-diodes

VS-FC270SA20

MOSFET N-CH 200V 287A SOT227

vishay-siliconix

SIHF065N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 40A TO220

vishay-siliconix

SIB456DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75

vishay-siliconix

SIHP14N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB