Proizvođač Broj proizvoda:
SI1070X-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SI1070X-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 1.2A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventar:
923 kom. Nova originalna na skladištu
12917620
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SI1070X-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
1.2A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
99mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.55V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
8.3 nC @ 5 V
Vgs (Maks)
±12V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
385 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
236mW (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
SC-89 (SOT-563F)
Paket / slučaj
SOT-563, SOT-666
Osnovni broj proizvoda
SI1070
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SI1070X-T1-GE3CT
SI1070X-T1-GE3TR
SI1070X-T1-GE3DKR
SI1070XT1GE3
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
SSM6K202FE,LF
Proizvođač
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA DOSTUPNA
21141
DiGi BROJ DELOVA
SSM6K202FE,LF-DG
JEDINIČNA CENA
0.12
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
SI2325DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
SIHD3N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
