Proizvođač Broj proizvoda:
IRLD110
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
IRLD110-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventar:
12910741
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRLD110 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
1A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4V, 5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
540mOhm @ 600mA, 5V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (Maks)
±10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
250 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
1.3W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
4-HVMDIP
Paket / slučaj
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Osnovni broj proizvoda
IRLD110
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
*IRLD110
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IRLD110PBF
Proizvođač
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
4444
DiGi BROJ DELOVA
IRLD110PBF-DG
JEDINIČNA CENA
0.64
TIP ZAMENE
Direct
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRFP23N50LPBF
MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
IRF9640STRRPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
IRL640STRLPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
