IRFR014PBF-BE3
Proizvođač Broj proizvoda:

IRFR014PBF-BE3

Product Overview

Proizvođač:

Vishay Siliconix

Broj dela:

IRFR014PBF-BE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

1980 kom. Nova originalna na skladištu
12977965
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

IRFR014PBF-BE3 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
7.7A (Tc)
Srs Na (maks) @ id, vgs
200mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
300 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-252AA
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
IRFR014

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket
75
Ostala imena
742-IRFR014PBF-BE3

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K516NU,LF

MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB

rohm-semi

SCT3030AW7TL

SICFET N-CH 650V 70A TO263-7

genesic-semiconductor

G3R350MT12J

SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7

vishay-siliconix

IRF9630PBF-BE3

MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB