Proizvođač Broj proizvoda:
IRFD120
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
IRFD120-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventar:
12911956
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRFD120 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
1.3A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
270mOhm @ 780mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
360 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
1.3W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
4-HVMDIP
Paket / slučaj
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Osnovni broj proizvoda
IRFD120
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
*IRFD120
IRFD122
IRFD121
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IRFD120PBF
Proizvođač
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
5890
DiGi BROJ DELOVA
IRFD120PBF-DG
JEDINIČNA CENA
0.47
TIP ZAMENE
Direct
BROJ DELOVA
IRFD123PBF
Proizvođač
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
6628
DiGi BROJ DELOVA
IRFD123PBF-DG
JEDINIČNA CENA
0.47
TIP ZAMENE
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IXFQ14N80P
MOSFET N-CH 800V 14A TO3P
IXTA180N085T7
MOSFET N-CH 85V 180A TO263-7
IRFR214TRL
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
