IRFD014PBF

Proizvođač Broj proizvoda:

IRFD014PBF

Product Overview

Proizvođač:

Vishay Siliconix

Broj dela:

IRFD014PBF-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP

Detaljan opis:

N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventar:

1111 kom. Nova originalna na skladištu

12868933

Zatraži ponudu

Količina
Minimum 1

(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

IRFD014PBF Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi

Proizvođač

Vishay

Pakovanje

Bulk

Serije

-

Status proizvoda

Active

FET Tip

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odvod do izvornog napona (VDS)

60 V

Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C

1.7A (Ta)

Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)

10V

Srs Na (maks) @ id, vgs

200mOhm @ 1A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

4V @ 250µA

Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs

11 nC @ 10 V

Vgs (Maks)

±20V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS

310 pF @ 25 V

FET karakteristika

-

Rasipanje snage (maks)

1.3W (Ta)

Radna temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip montaže

Through Hole

Dobavljač uređaja Paket

4-HVMDIP

Paket / slučaj

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Osnovni broj proizvoda

IRFD014

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci

Tehnički listovi

HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket

2,500

Ostala imena

*IRFD014PBF

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

vishay-siliconix

IRFPE50

MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3

vishay-siliconix

IRF730ASTRR

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRF830

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB

vishay-siliconix

IRF730A

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB