IRFBC20PBF
Proizvođač Broj proizvoda:

IRFBC20PBF

Product Overview

Proizvođač:

Vishay Siliconix

Broj dela:

IRFBC20PBF-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 2.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

7738 kom. Nova originalna na skladištu
12867014
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

IRFBC20PBF Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
2.2A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
4.4Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
350 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
50W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220AB
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
IRFBC20

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
IRFBC20PBF
Tehnički listovi
Packaging Information
HTML Tehnička dokumentacija
IRFBC20PBF-DG

Dodatne informacije

Standardni paket
50
Ostala imena
*IRFBC20PBF

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
nxp-semiconductors

BUK7575-55,127

MOSFET N-CH 55V 19.7A TO220AB

nxp-semiconductors

BUK754R3-75C,127

MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB

vishay-siliconix

IRFIZ14G

MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3

vishay-siliconix

IRF840LCSTRR

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK