IRF640SPBF
Proizvođač Broj proizvoda:

IRF640SPBF

Product Overview

Proizvođač:

Vishay Siliconix

Broj dela:

IRF640SPBF-DG

Opis:

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Detaljan opis:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

309 kom. Nova originalna na skladištu
12881336
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

IRF640SPBF Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
200 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
18A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1300 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-263 (D2PAK)
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
IRF640

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
IRF640SPBF
Tehnički listovi
IRF640S(L)/SIHF640S(L)
HTML Tehnička dokumentacija
IRF640SPBF-DG

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
vishay-siliconix

IRFI634G

MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220-3

stmicroelectronics

STL75N3LLZH5

MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT

stmicroelectronics

STP75N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 75A TO220

nexperia

PHT6NQ10T,135

MOSFET N-CH 100V 3A SOT223