Proizvođač Broj proizvoda:
TPH3212PS
Product Overview
Proizvođač:
Transphorm
Broj dela:
TPH3212PS-DG
Opis:
GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 27A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
13446813
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TPH3212PS Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Transphorm
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
27A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
72mOhm @ 17A, 8V
vgs(th) (maks) @ id
2.6V @ 400uA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (Maks)
±18V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1130 pF @ 400 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
104W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220AB
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
TPH3212
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
TPH3208LD
GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
TPH3206PD
GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
TP65H035WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3