TPH3206LSGB
Proizvođač Broj proizvoda:

TPH3206LSGB

Product Overview

Proizvođač:

Transphorm

Broj dela:

TPH3206LSGB-DG

Opis:

GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)

Inventar:

13275977
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

TPH3206LSGB Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Transphorm
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
GaNFET (Gallium Nitride)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
16A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
8V
Srs Na (maks) @ id, vgs
180mOhm @ 10A, 8V
vgs(th) (maks) @ id
2.6V @ 500µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±18V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
720 pF @ 480 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
81W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
3-PQFN (8x8)
Paket / slučaj
3-PowerDFN

Dodatne informacije

Standardni paket
1
Ostala imena
1707-TPH3206LSGB

Ekoloska i izvozna klasifikacija

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

BROJ DELOVA
TP65H150G4LSG
Proizvođač
Transphorm
KOLIČINA DOSTUPNA
2939
DiGi BROJ DELOVA
TP65H150G4LSG-DG
JEDINIČNA CENA
2.18
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
infineon-technologies

IPA029N06NM5SXKSA1

MOSFET N-CH 60V 87A TO220

infineon-technologies

IPB60R070CFD7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

infineon-technologies

BSZ039N06NSATMA1

MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON

infineon-technologies

IPB60R360CFD7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3