Proizvođač Broj proizvoda:
TP65H050G4BS
Product Overview
Proizvođač:
Transphorm
Broj dela:
TP65H050G4BS-DG
Opis:
650 V 34 A GAN FET
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventar:
329 kom. Nova originalna na skladištu
13001027
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TP65H050G4BS Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Transphorm
Pakovanje
Tube
Serije
SuperGaN®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
GaNFET (Gallium Nitride)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
34A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
60mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.8V @ 700µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1000 pF @ 400 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
119W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-263
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
TP65H050
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
1707-TP65H050G4BS
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
G08N06S
MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8
GT095N10D5
N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
BUK4D38-20PX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
