Proizvođač Broj proizvoda:
TPHR9203PL1,LQ
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
TPHR9203PL1,LQ-DG
Opis:
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Inventar:
19467 kom. Nova originalna na skladištu
12964777
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TPHR9203PL1,LQ Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSIX-H
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
150A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
0.92mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.1V @ 500µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
7540 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Radna temperatura
175°C
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-SOP Advance (5x5.75)
Paket / slučaj
8-PowerTDFN
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
5,000
Ostala imena
264-TPHR9203PL1LQCT
264-TPHR9203PL1LQTR
TPHR9203PL1,LQ(M
264-TPHR9203PL1LQDKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SIHG22N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 22A TO247AC
PJP18N20_T0_00001
TO-220AB, MOSFET
2N7002K_R1_00001
SOT-23, MOSFET
