Proizvođač Broj proizvoda:
TK65A10N1,S4X
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
TK65A10N1,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 65A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
9 kom. Nova originalna na skladištu
12891004
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TK65A10N1,S4X Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tube
Serije
U-MOSVIII-H
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
65A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
4.8mOhm @ 32.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
5400 pF @ 50 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
45W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220SIS
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack
Osnovni broj proizvoda
TK65A10
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
TK65A10N1,S4X(S
TK65A10N1S4X
TK65A10N1,S4X-DG
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
FDPF045N10A
Proizvođač
onsemi
KOLIČINA DOSTUPNA
1000
DiGi BROJ DELOVA
FDPF045N10A-DG
JEDINIČNA CENA
1.73
TIP ZAMENE
Upgrade
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
TPCC8008(TE12L,QM)
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
TPH3R003PL,LQ
MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
TK8A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
