Proizvođač Broj proizvoda:
TK42A12N1,S4X
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
TK42A12N1,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS
Detaljan opis:
N-Channel 120 V 42A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
250 kom. Nova originalna na skladištu
12891201
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
1xul
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TK42A12N1,S4X Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tube
Serije
U-MOSVIII-H
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
120 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
42A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
9.4mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
3100 pF @ 60 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
35W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220SIS
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack
Osnovni broj proizvoda
TK42A12
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
TK42A12N1S4X
TK42A12N1,S4X(S
TK42A12N1,S4X-DG
Q10136417
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SSM6J213FE(TE85L,F
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
TPN11003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
SSM6J214FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
