Proizvođač Broj proizvoda:
TK13E25D,S1X(S
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
TK13E25D,S1X(S-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
Detaljan opis:
N-Channel 250 V 13A (Ta) 102W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
44 kom. Nova originalna na skladištu
12889248
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TK13E25D,S1X(S Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
250 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
13A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
250mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1100 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
102W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220-3
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
TK13E25
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
TK13E25DS1XS
TK13E25DS1X(S
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IRF644PBF
Proizvođač
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
1392
DiGi BROJ DELOVA
IRF644PBF-DG
JEDINIČNA CENA
0.65
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SSM3J372R,LF
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
TK20C60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
TK8A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
