Proizvođač Broj proizvoda:
SSM3J35MFV,L3F
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
SSM3J35MFV,L3F-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Detaljan opis:
P-Channel 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventar:
35555 kom. Nova originalna na skladištu
12889711
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
eaLY
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SSM3J35MFV,L3F Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
20 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
100mA (Ta)
Srs Na (maks) @ id, vgs
8Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (maks) @ id
-
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
12.2 pF @ 3 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
150mW (Ta)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
VESM
Paket / slučaj
SOT-723
Osnovni broj proizvoda
SSM3J35
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
8,000
Ostala imena
SSM3J35MFVL3F(T
SSM3J35MFVTL3T
SSM3J35MFV(TL3,T)
SSM3J35MFV(TL3T)DKR-DG
SSM3J35MFV,L3F(T
SSM3J35MFVL3FCT
SSM3J35MFV(TL3T)TR-DG
SSM3J35MFVL3FTR
SSM3J35MFV(TL3T)TR
SSM3J35MFVL3F(B
SSM3J35MFV(TL3T)DKR
SSM3J35MFVL3FDKR
SSM3J35MFV(TL3T)CT-DG
SSM3J35MFV,L3F(B
SSM3J35MFVL3F
SSM3J35MFV(TL3T)CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
2SJ304(F)
MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS
TK6A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
TK31N60W,S1VF
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
