Proizvođač Broj proizvoda:
RN2910,LF(CT
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
RN2910,LF(CT-DG
Opis:
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SMQ
Inventar:
3000 kom. Nova originalna na skladištu
12889396
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
gXO4
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RN2910,LF(CT Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistori u nizovima, prethodno polarizovani
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Struja - kolektor (IC) (maks)
100mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50V
Otpornik - Baza (R1)
4.7kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
-
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
120 @ 1mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
100nA (ICBO)
Frekvencija - Tranzicija
200MHz
Snaga - Maks
200mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SC-61AA
Dobavljač uređaja Paket
SMQ
Osnovni broj proizvoda
RN2910
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
RN2910,LF(CB
RN2910LF(CTDKR
RN2910LF(CTCT
RN2910LF(CTTR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RN1965(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2607(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN2962(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6