RN2606(TE85L,F)
Proizvođač Broj proizvoda:

RN2606(TE85L,F)

Product Overview

Proizvođač:

Toshiba Semiconductor and Storage

Broj dela:

RN2606(TE85L,F)-DG

Opis:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6

Inventar:

910 kom. Nova originalna na skladištu
12891216
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

RN2606(TE85L,F) Tehničke specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistori u nizovima, prethodno polarizovani
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Struja - kolektor (IC) (maks)
100mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50V
Otpornik - Baza (R1)
4.7kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
47kOhms
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
80 @ 10mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
100nA (ICBO)
Frekvencija - Tranzicija
200MHz
Snaga - Maks
300mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SC-74, SOT-457
Dobavljač uređaja Paket
SM6
Osnovni broj proizvoda
RN2606

Dodatne informacije

Standardni paket
3,000
Ostala imena
RN2606(TE85LF)CT
RN2606(TE85LF)DKR
RN2606(TE85LF)TR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternativni modeli

BROJ DELOVA
PUMB13,115
Proizvođač
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA DOSTUPNA
3002
DiGi BROJ DELOVA
PUMB13,115-DG
JEDINIČNA CENA
0.02
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2908(T5L,F,T)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1711,LF

NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1902T5LFT

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2909FE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6