RN2109MFV,L3F
Proizvođač Broj proizvoda:

RN2109MFV,L3F

Product Overview

Proizvođač:

Toshiba Semiconductor and Storage

Broj dela:

RN2109MFV,L3F-DG

Opis:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

Inventar:

7950 kom. Nova originalna na skladištu
12890247
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

RN2109MFV,L3F Tehničke specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Jednostruki, prethodno biasirani bipolarni tranzistori
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
PNP - Pre-Biased
Struja - kolektor (IC) (maks)
100 mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50 V
Otpornik - Baza (R1)
47 kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
22 kOhms
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
70 @ 10mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
500nA
Snaga - Maks
150 mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SOT-723
Dobavljač uređaja Paket
VESM
Osnovni broj proizvoda
RN2109

Dodatne informacije

Standardni paket
8,000
Ostala imena
264-RN2109MFV,L3FTR
RN2109MFVL3F-DG
RN2109MFVL3F
264-RN2109MFV,L3FCT
264-RN2109MFV,L3FDKR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternativni modeli

BROJ DELOVA
DTA144WM3T5G
Proizvođač
onsemi
KOLIČINA DOSTUPNA
0
DiGi BROJ DELOVA
DTA144WM3T5G-DG
JEDINIČNA CENA
0.03
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
diodes

DDTD143EC-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2317(TE85L,F)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70

diodes

DDTA124XUA-7-F

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1307,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70