Proizvođač Broj proizvoda:
RN1962FE(TE85L,F)
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
RN1962FE(TE85L,F)-DG
Opis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
3815 kom. Nova originalna na skladištu
12891334
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RN1962FE(TE85L,F) Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistori u nizovima, prethodno polarizovani
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
Tranzistor Tip
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Struja - kolektor (IC) (maks)
100mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50V
Otpornik - Baza (R1)
10kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
10kOhms
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
50 @ 10mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
100nA (ICBO)
Frekvencija - Tranzicija
250MHz
Snaga - Maks
100mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SOT-563, SOT-666
Dobavljač uređaja Paket
ES6
Osnovni broj proizvoda
RN1962
Dodatne informacije
Standardni paket
4,000
Ostala imena
RN1962FE(TE85LF)TR
RN1962FE(TE85LF)DKR
RN1962FETE85LF
RN1962FE(TE85LF)CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
RN1102MFV,L3F
Proizvođač
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA DOSTUPNA
13398
DiGi BROJ DELOVA
RN1102MFV,L3F-DG
JEDINIČNA CENA
0.02
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RN1503(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN1704,LF
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
RN4902,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
