Proizvođač Broj proizvoda:
RN1117(T5L,F,T)
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
RN1117(T5L,F,T)-DG
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventar:
12889759
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RN1117(T5L,F,T) Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Jednostruki, prethodno biasirani bipolarni tranzistori
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Discontinued at Digi-Key
Tranzistor Tip
NPN - Pre-Biased
Struja - kolektor (IC) (maks)
100 mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50 V
Otpornik - Baza (R1)
10 kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
4.7 kOhms
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
30 @ 10mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
500nA
Frekvencija - Tranzicija
250 MHz
Snaga - Maks
100 mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SC-75, SOT-416
Dobavljač uređaja Paket
SSM
Osnovni broj proizvoda
RN1117
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
RN1117 (T5L,F,T)
RN1117(T5LFT)TR
RN1117(T5LFT)CT
RN1117T5LFT
RN1117(T5LFT)DKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
DDTC114WE-7-F
Proizvođač
Diodes Incorporated
KOLIČINA DOSTUPNA
0
DiGi BROJ DELOVA
DDTC114WE-7-F-DG
JEDINIČNA CENA
0.03
TIP ZAMENE
Similar
BROJ DELOVA
RN1117MFV,L3F
Proizvođač
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA DOSTUPNA
0
DiGi BROJ DELOVA
RN1117MFV,L3F-DG
JEDINIČNA CENA
0.02
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RN1415,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN1406S,LF(D
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN1116,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
