Proizvođač Broj proizvoda:
RN1111MFV,L3F
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
RN1111MFV,L3F-DG
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventar:
7278 kom. Nova originalna na skladištu
12889701
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RN1111MFV,L3F Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Jednostruki, prethodno biasirani bipolarni tranzistori
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
NPN - Pre-Biased
Struja - kolektor (IC) (maks)
100 mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50 V
Otpornik - Baza (R1)
10 kOhms
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
120 @ 1mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
100nA (ICBO)
Snaga - Maks
150 mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SOT-723
Dobavljač uređaja Paket
VESM
Osnovni broj proizvoda
RN1111
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
8,000
Ostala imena
RN1111MFVL3F-DG
264-RN1111MFV,L3FDKR
264-RN1111MFV,L3FTR
264-RN1111MFV,L3FCT
RN1111MFVL3F
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
DTC114TMT2L
Proizvođač
Rohm Semiconductor
KOLIČINA DOSTUPNA
3800
DiGi BROJ DELOVA
DTC114TMT2L-DG
JEDINIČNA CENA
0.05
TIP ZAMENE
Similar
BROJ DELOVA
DTC114TM3T5G
Proizvođač
onsemi
KOLIČINA DOSTUPNA
16217
DiGi BROJ DELOVA
DTC114TM3T5G-DG
JEDINIČNA CENA
0.05
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
DTC144TSA-AP
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92S
RN1302,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN2118(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
