Proizvođač Broj proizvoda:
RN1110MFV,L3F
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
RN1110MFV,L3F-DG
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventar:
8000 kom. Nova originalna na skladištu
12891181
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RN1110MFV,L3F Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Jednostruki, prethodno biasirani bipolarni tranzistori
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
NPN - Pre-Biased
Struja - kolektor (IC) (maks)
100 mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50 V
Otpornik - Baza (R1)
4.7 kOhms
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
120 @ 1mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
100nA (ICBO)
Snaga - Maks
150 mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SOT-723
Dobavljač uređaja Paket
VESM
Osnovni broj proizvoda
RN1110
Dodatne informacije
Standardni paket
8,000
Ostala imena
264-RN1110MFV,L3FCT
RN1110MFV(TL3T)TR
RN1110MFV(TL3T)DKR-DG
RN1110MFV(TL3,T)
RN1110MFVL3FTR
RN1110MFVTL3T
RN1110MFVL3F
RN1110MFVL3FTR-DG
RN1110MFVL3FDKR
RN1110MFVL3FDKR-DG
RN1110MFV,L3F(T
RN1110MFV(TL3T)CT
RN1110MFV(TL3T)DKR
RN1110MFV,L3F(B
RN1110MFV(TL3T)CT-DG
RN1110MFVL3FCT
RN1110MFVL3FINACTIVE
RN1110MFV(TL3T)TR-DG
RN1110MFVL3FCT-DG
RN1110MFVL3F-DG
264-RN1110MFV,L3FTR
264-RN1110MFV,L3FDKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RN2104ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
RN2112,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN2108(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
