Proizvođač Broj proizvoda:
RN1108MFV,L3F
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
RN1108MFV,L3F-DG
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventar:
6661 kom. Nova originalna na skladištu
12890982
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
TFaK
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RN1108MFV,L3F Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Jednostruki, prethodno biasirani bipolarni tranzistori
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
NPN - Pre-Biased
Struja - kolektor (IC) (maks)
100 mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50 V
Otpornik - Baza (R1)
22 kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
47 kOhms
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
80 @ 10mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
500nA
Snaga - Maks
150 mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SOT-723
Dobavljač uređaja Paket
VESM
Osnovni broj proizvoda
RN1108
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
8,000
Ostala imena
RN1108MFVL3FTR
RN1108MFV,L3F(T
RN1108MFVL3FCT
RN1108MFVL3FDKR
RN1108MFV,L3F(B
RN1108MFVL3F
RN1108MFVL3F-DG
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
DTC124TMT2L
Proizvođač
Rohm Semiconductor
KOLIČINA DOSTUPNA
7980
DiGi BROJ DELOVA
DTC124TMT2L-DG
JEDINIČNA CENA
0.03
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RN2421(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
RN1117MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2106,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
