Proizvođač Broj proizvoda:
HN4B102J(TE85L,F)
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
Broj dela:
HN4B102J(TE85L,F)-DG
Opis:
PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Detaljan opis:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.8A, 2A 750mW Surface Mount SMV
Inventar:
2900 kom. Nova originalna na skladištu
12988801
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
pArj
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
HN4B102J(TE85L,F) Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
NPN, PNP
Struja - kolektor (IC) (maks)
1.8A, 2A
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
30V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Struja - kolektor prekid (maks)
100nA (ICBO)
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
200 @ 200mA, 2V
Snaga - Maks
750mW
Frekvencija - Tranzicija
-
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SC-74A, SOT-753
Dobavljač uređaja Paket
SMV
Osnovni broj proizvoda
HN4B102
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
264-HN4B102J(TE85LF)TR
264-HN4B102J(TE85LF)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)DKR
264-HN4B102J(TE85L,F)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)TR
264-HN4B102J(TE85L,F)CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
ULN2803CDWR
50-V, EIGHT-CHANNEL DARLINGTON A
SBC846BDW1T1G-M01
SBC846BDW1T1G-M01
CMLT3474 TR
TRANS NPN/PNP 25V 1A SOT563
