TSM7ND65CI
Proizvođač Broj proizvoda:

TSM7ND65CI

Product Overview

Proizvođač:

Taiwan Semiconductor Corporation

Broj dela:

TSM7ND65CI-DG

Opis:

MOSFET N-CH 650V 7A ITO220
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220

Inventar:

3 kom. Nova originalna na skladištu
12900020
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

TSM7ND65CI Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Taiwan Semiconductor
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
7A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.35Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.8V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1124 pF @ 50 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
50W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
ITO-220
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Osnovni broj proizvoda
TSM7

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi

Dodatne informacije

Standardni paket
50
Ostala imena
TSM7ND65CI RLG
TSM7ND65CI-DG
TSM7ND65CI C0G
1801-TSM7ND65CI

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
taiwan-semiconductor

TSM120N06LCR RLG

MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM70N10CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252

diodes

DMN2230UQ-7

MOSFET N-CH 20V 2A SOT23

diodes

DMP3004SSS-13

MOSFET P-CH 30V 16.2A 8SO T&R 2