Proizvođač Broj proizvoda:
STP8NM60D
Product Overview
Proizvođač:
STMicroelectronics
Broj dela:
STP8NM60D-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 8A TO220AB
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12880364
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
STP8NM60D Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
STMicroelectronics
Pakovanje
-
Serije
MDmesh™
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
8A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
380 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
100W (Tc)
Radna temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
STP8N
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ostala imena
497-6194-5
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IPP80R900P7XKSA1
Proizvođač
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
0
DiGi BROJ DELOVA
IPP80R900P7XKSA1-DG
JEDINIČNA CENA
0.56
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
STD25N10F7
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STF24NM65N
MOSFET N-CH 650V 19A TO220FP
STP34N65M5
MOSFET N-CH 650V 28A TO220
