Proizvođač Broj proizvoda:
STP19NB20
Product Overview
Proizvođač:
STMicroelectronics
Broj dela:
STP19NB20-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220AB
Detaljan opis:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12880491
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
STP19NB20 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
STMicroelectronics
Pakovanje
-
Serije
PowerMESH™
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
200 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
19A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1000 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
125W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
STP19N
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
497-2650-5
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IRF640PBF
Proizvođač
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
1594
DiGi BROJ DELOVA
IRF640PBF-DG
JEDINIČNA CENA
0.73
TIP ZAMENE
Similar
BROJ DELOVA
IRF200B211
Proizvođač
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
4746
DiGi BROJ DELOVA
IRF200B211-DG
JEDINIČNA CENA
0.51
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
STB55NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
2N7002-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
STL19N60DM2
MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
