Proizvođač Broj proizvoda:
STP14NM65N
Product Overview
Proizvođač:
STMicroelectronics
Broj dela:
STP14NM65N-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12879225
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
STP14NM65N Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
STMicroelectronics
Pakovanje
-
Serije
MDmesh™ II
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
12A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±25V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1300 pF @ 50 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
125W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
STP14N
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
-497-7024-5
1805-STP14NM65N
497-7024-5
1026-STP14NM65N
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IPP60R380E6XKSA1
Proizvođač
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
0
DiGi BROJ DELOVA
IPP60R380E6XKSA1-DG
JEDINIČNA CENA
1.13
TIP ZAMENE
Similar
BROJ DELOVA
TK10E60W,S1VX
Proizvođač
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA DOSTUPNA
30
DiGi BROJ DELOVA
TK10E60W,S1VX-DG
JEDINIČNA CENA
1.31
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
STP7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3
STF15NM65N
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
STB6N62K3
MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
