STP11N60DM2
Proizvođač Broj proizvoda:

STP11N60DM2

Product Overview

Proizvođač:

STMicroelectronics

Broj dela:

STP11N60DM2-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

896 kom. Nova originalna na skladištu
12874310
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
UPWM
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

STP11N60DM2 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
STMicroelectronics
Pakovanje
Tube
Serije
MDmesh™ DM2
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
10A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
420mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±25V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
614 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
110W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
STP11

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi
STP11N60DM2 Datasheet

Dodatne informacije

Standardni paket
50
Ostala imena
497-16932

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
stmicroelectronics

STB12NM60N-1

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

stmicroelectronics

STP13N60M2

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

stmicroelectronics

STD35NF3LLT4

MOSFET N-CH 30V 35A DPAK

stmicroelectronics

STL220N3LLH7

MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT