Proizvođač Broj proizvoda:
STH315N10F7-2
Product Overview
Proizvođač:
STMicroelectronics
Broj dela:
STH315N10F7-2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventar:
880 kom. Nova originalna na skladištu
12878823
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
STH315N10F7-2 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
STMicroelectronics
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
DeepGATE™, STripFET™ VII
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
180A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
2.3mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
12800 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
315W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razredu
Automotive
Kvalifikacije
AEC-Q101
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
H2PAK-2
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
STH315
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ostala imena
497-14718
497-14718-1
497-14718-2
497-14718-6
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
STP2NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB
STP100N6F7
MOSFET N-CH 60V 100A TO220
STS20N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO