Proizvođač Broj proizvoda:
STD16N65M2
Product Overview
Proizvođač:
STMicroelectronics
Broj dela:
STD16N65M2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
13 kom. Nova originalna na skladištu
12945683
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
STD16N65M2 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
STMicroelectronics
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
MDmesh™ M2
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
11A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
19.5 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±25V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
718 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
110W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
DPAK
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
STD16
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
497-15258-1
497-15258-2
497-15258-6
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
SIHD14N60E-GE3
Proizvođač
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
1269
DiGi BROJ DELOVA
SIHD14N60E-GE3-DG
JEDINIČNA CENA
0.86
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
STW40N90K5
MOSFET N-CH 900V 40A TO247
STB6N80K5
MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
STP57N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A TO220
