Proizvođač Broj proizvoda:
STB7NK80Z-1
Product Overview
Proizvođač:
STMicroelectronics
Broj dela:
STB7NK80Z-1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
Detaljan opis:
N-Channel 800 V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12875838
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
STB7NK80Z-1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
STMicroelectronics
Pakovanje
Tube
Serije
SuperMESH™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
800 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
5.2A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.8Ohm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 100µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1138 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
125W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
I2PAK
Paket / slučaj
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovni broj proizvoda
STB7NK80
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ostala imena
STB7NK80Z-1-DG
497-12539-5
-497-12539-5
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
STP16NK60Z
MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
STS10PF30L
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
STW19NM50N
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3