Proizvođač Broj proizvoda:
STB45N65M5
Product Overview
Proizvođač:
STMicroelectronics
Broj dela:
STB45N65M5-DG
Opis:
MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
301 kom. Nova originalna na skladištu
12875872
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
STB45N65M5 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
STMicroelectronics
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
MDmesh™ V
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
35A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
78mOhm @ 19.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±25V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
3375 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
210W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-263 (D2PAK)
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
STB45
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ostala imena
497-12940-6
497-12940-2
497-12940-1
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IPB60R099CPATMA1
Proizvođač
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
1212
DiGi BROJ DELOVA
IPB60R099CPATMA1-DG
JEDINIČNA CENA
3.99
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
STS30N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
STS6NF20V
MOSFET N-CH 20V 6A 8SO
STL150N3LLH5
MOSFET N-CH 30V 195A POWERFLAT
