Proizvođač Broj proizvoda:
STB11NM60-1
Product Overview
Proizvođač:
STMicroelectronics
Broj dela:
STB11NM60-1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12880578
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
STB11NM60-1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
STMicroelectronics
Pakovanje
-
Serije
MDmesh™
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
11A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1000 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
160W (Tc)
Radna temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
I2PAK
Paket / slučaj
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovni broj proizvoda
STB11N
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
STB11NM60-1-DG
497-5379-5
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
FCI7N60
Proizvođač
onsemi
KOLIČINA DOSTUPNA
990
DiGi BROJ DELOVA
FCI7N60-DG
JEDINIČNA CENA
1.21
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
STB6N60M2
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
STU16N65M2
MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
STP200N4F3
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
