Proizvođač Broj proizvoda:
SCT10N120H
Product Overview
Proizvođač:
STMicroelectronics
Broj dela:
SCT10N120H-DG
Opis:
SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Detaljan opis:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Inventar:
12872417
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SCT10N120H Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
STMicroelectronics
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
1200 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
12A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
20V
Srs Na (maks) @ id, vgs
690mOhm @ 6A, 20V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
22 nC @ 20 V
Vgs (Maks)
+25V, -10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
290 pF @ 400 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
150W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
H2PAK-2
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
SCT10
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ostala imena
SCT10N120H-DG
497-SCT10N120HCT
497-SCT10N120HDKR
497-SCT10N120HTR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
STD7N60DM2
MOSFET N-CH 600V 6A DPAK
STD5NM60-1
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
STP17NF25
MOSFET N-CH 250V 17A TO220AB