Proizvođač Broj proizvoda:
2N6660
Product Overview
Proizvođač:
Solid State Inc.
Broj dela:
2N6660-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 1.1A (Tc) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventar:
3575 kom. Nova originalna na skladištu
12974056
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
2N6660 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Manufacturers
Pakovanje
Box
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
1.1A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 1mA
Vgs (Maks)
±40V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
50 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
6.25W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-39
Paket / slučaj
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
10
Ostala imena
2383-2N6660
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
PJF6NA90_T0_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
NTMFS4C822NAT1G
TRENCH 6 30V NCH
NVBG015N065SC1
SIC MOS D2PAK-7L 650V
