Proizvođač Broj proizvoda:
S2M0080120K
Product Overview
Proizvođač:
SMC Diode Solutions
Broj dela:
S2M0080120K-DG
Opis:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Detaljan opis:
N-Channel 1200 V 41A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventar:
260 kom. Nova originalna na skladištu
12988764
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
S2M0080120K Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
SMC Diode Solutions
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
1200 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
41A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
20V
Srs Na (maks) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 10mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
54 nC @ 20 V
Vgs (Maks)
+25V, -10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1324 pF @ 1000 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
231W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-247-4
Paket / slučaj
TO-247-4
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Ostala imena
1655-S2M0080120K
-1765-S2M0080120K
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
C3M0040120K
1200V 40MOHM SIC MOSFET
STD20NF06L
TO-252 MOSFETS ROHS
MCACL110N08Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
