Proizvođač Broj proizvoda:
2SC3595D
Product Overview
Proizvođač:
Sanyo
Broj dela:
2SC3595D-DG
Opis:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Detaljan opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 500 mA 2GHz 1.2 W Through Hole TO-126
Inventar:
7513 kom. Nova originalna na skladištu
12941635
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
2SC3595D Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Jednostavni bipolarni tranzistori
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
NPN
Struja - kolektor (IC) (maks)
500 mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
20 V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
600mV @ 30mA, 300mA
Struja - kolektor prekid (maks)
100nA (ICBO)
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
60 @ 50mA, 5V
Snaga - Maks
1.2 W
Frekvencija - Tranzicija
2GHz
Radna temperatura
150°C (TJ)
Razredu
-
Kvalifikacije
-
Tip montaže
Through Hole
Paket / slučaj
TO-225AA, TO-126-3
Dobavljač uređaja Paket
TO-126
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
452
Ostala imena
2156-2SC3595D
ONSSNY2SC3595D
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
Not applicable
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
2SC4455Q-AA
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SC2463DETL-E
0.1A, 40V
2SC536F-SPA-AC
SMALL SIGNAL NPN SILICON
