Proizvođač Broj proizvoda:
RW1E014SNT2R
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
RW1E014SNT2R-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Inventar:
7791 kom. Nova originalna na skladištu
13080622
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RW1E014SNT2R Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
-
Serije
-
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Deo Status
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
1.4A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
240mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
1.4 nC @ 5 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
70 pF @ 10 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
400mW (Ta)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
6-WEMT
Paket / slučaj
6-SMD, Flat Leads
Osnovni broj proizvoda
RW1E014
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
8,000
Ostala imena
RW1E014SNT2RTR
RW1E014SNT2RDKR
RW1E014SNT2RCT
846-RW1E014SNT2RTR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RCJ100N25TL
MOSFET N-CH 250V 10A LPT
IRFS614B
N-CHANNEL POWER MOSFET
PJD11N06A-AU_L2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
