Proizvođač Broj proizvoda:
RV8L002SNHZGG2CR
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
RV8L002SNHZGG2CR-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
Inventar:
6521 kom. Nova originalna na skladištu
12948493
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RV8L002SNHZGG2CR Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
250mA (Ta)
Srs Na (maks) @ id, vgs
2.4Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.3V @ 1mA
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
15 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
1W (Ta)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Razredu
Automotive
Kvalifikacije
AEC-Q101
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
DFN1010-3W
Paket / slučaj
3-XFDFN
Osnovni broj proizvoda
RV8L002
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
8,000
Ostala imena
846-RV8L002SNHZGG2CRTR
846-RV8L002SNHZGG2CRDKR
846-RV8L002SNHZGG2CRCT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
STW56N65M2-4
MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L
STD8N60DM2
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
STB22N60M6
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
