Proizvođač Broj proizvoda:
RS6P100BHTB1
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
RS6P100BHTB1-DG
Opis:
NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventar:
2725 kom. Nova originalna na skladištu
12987311
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RS6P100BHTB1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
100A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
6V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
5.9mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2880 pF @ 50 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
104W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-HSOP
Paket / slučaj
8-PowerTDFN
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
846-RS6P100BHTB1CT
846-RS6P100BHTB1TR
846-RS6P100BHTB1DKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
DMT10H9M9SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
G3401L
P30V,RD(MAX)<60M@-10V,RD(MAX)<70
DMP2900UT-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
