Proizvođač Broj proizvoda:
RS6P060BHTB1
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
RS6P060BHTB1-DG
Opis:
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventar:
2290 kom. Nova originalna na skladištu
12990015
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RS6P060BHTB1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
60A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
6V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
10.6mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1560 pF @ 50 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
3W (Ta), 73W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-HSOP
Paket / slučaj
8-PowerTDFN
Osnovni broj proizvoda
RS6P060
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
846-RS6P060BHTB1DKR
846-RS6P060BHTB1TR
846-RS6P060BHTB1CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
RD3L03BBGTL1
NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
DMTH45M5LPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMTH45M5SPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
